进入2024下半年，半导体行业的内存器件将继续发生重大变化。由于内存器件在人工智能（AI）应用中的关键作用，其需求量相较于其他元器件而言一直处于较高水平。

预计在第三季度内存价格将继续波动。优先生产高带宽内存（HBM）可能会导致DRAM短缺。 同样，作为人工智能应用领域中另一热门器件的固态硬盘（SSD），其需求也可能在2024年底对NAND闪存产生同样的影响。

■三星内存或将涨价

据韩国媒体报道称，三星电子计划在第三季度将其服务器DRAM和企业级NAND闪存的价格提高15%至20%。与今年大多数价格波动一样，人工智能需求是导致价格上涨的主要因素。报道指出，提价的决定也将有助于提振三星下半年的业绩，以及包括南亚科技、ADATA、 TeamGroup和Transcend在内的几家台湾芯片制造商的发展势头。

三星电子于6月26日向客户发出价格变动通知，此前三星电子已在第二季度将其NAND闪存的价格提高了20%。许多OCM都认为，人工智能热潮将继续推动服务器需求增长，尤其是在今年下半年。

这是三星电子对服务器DRAM和企业级固态硬盘采取更激进定价策略的一部分。TrendForce预测，服务器DRAM的季度环比涨幅（QoQ）将超过10%。尽管需求不断增长，但DRAM的现货价格仍然疲软。

即使三星电子将其D1A工艺重新分配以专注于生产HBM，情况也没有什么变化。同样，6月底美光科技台中工厂发生的火灾事故，虽然未报告实际损失，但并未对现货价格趋势产生积极影响。DDR4的价格降幅远大于DDR5，而后者自D14工艺重新分配以来偶尔出现上涨。第三季度DRAM的平均销售价格将继续上涨8%至13%。传统DRAM的成本在略微收缩后也将小幅增长5%至10%。

买家对第二季度的补货一直比较保守，但随着智能手机和云服务提供商（CSP）为旺季生产做准备，第三季度移动DRAM可能会有更大的补货空间。这与过去几个季度相比发生了显着变化，智能手机和服务器推动了第三季度的内存出货量，而在此之前的大部分时间里，内存出货量在今年的大部分时间里都处于低位。

总体而言，消费类DRAM仍然供过于求，但由于高带宽内存（HBM）对产能的限制，三星、SK海力士和美光科技都打算提高价格。而南亚科技、威刚科技和其他台湾制造商仍在努力恢复盈利能力，三星的提价将有望加强DRAM剩余平均销售价格（ASP）的疲软态势。

TrendForce报告称，第四季度的库存补充将支撑价格上涨，预见于2025年，由于HBM和SSD市场份额增加, 这可能导致内存短缺, 而终端企业的采购策略将变得更为积极，进一步补货。

■NAND闪存短缺有可能即将来临

在过去几个季度中，制造商一直在提高HBM产品的产能。三星电子即将在其最新的工厂生产HBM，并将于2024年底开始交付，从而提高产能。相反由于产能拥挤，预计这将导致DRAM出现轻微短缺。

随着用于人工智能加速数据的大容量固态硬盘需求快速增长，这一问题也可能影响到NAND闪存市场。 预计2021年至2030年，企业固态硬盘的复合年增长率（CAGR）将达到10.2%，这主要是由于人工智能需求的推动。在上一季度，企业级固态硬盘的价格上涨超过15%，在下半年可能还会继续上涨。

由于AI推动企业固态硬盘的需求高于先前的预测，固态硬盘的价格已经变得更加昂贵。即使在第二季度略有收缩的情况下，企业固态硬盘的表现也优于整体市场。

三星电子已经将其战略从优先考虑消费电子产品转向了关注企业市场，最近的HBM优先级调整就反映了这一点。随着DRAM市场的许多供应商也涉足NAND闪存市场，这些举措很可能会在NAND闪存市场上得到响应。

将固态硬盘的生产能力重新排序可能会导致其他产品（如DRAM）出现NAND闪存短缺。产能拥挤可能是未来几个月内存瓶颈的主要因素之一，而人工智能需求则是一个主要因素。

原始设备制造商（OCM）将继续优先考虑利润丰厚的生产线，而不是遵循传统的市场战略，比如专注于消费电子产品制造商。当消费电子产品的需求最终恢复时，市场将如何反应尚不得而知。面对未知情况，公司必须主动监测市场状况，以抓住机会并应对可能的动荡。